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NBT hat Ätzchemie zum Entfernen oder Strukturieren von Metallen entwickelt. Dabei unterscheiden sich die Anforderungen an die Chemie je nach Prozessablauf und Anwendung z.B. Opferschichtentfernung, Startschichtentfernung oder -strukturierung).
Bei der Startschichtentfernung nach der galvanischen Abscheidung sind die Selektivität zu den anderen Metallen und der geringe Strukturabtrag wichtig. Bei der Startschichtstrukturierung vor der galvanischen Abscheidung ist die Kompatibilität zum Resist entscheidend.
etching solutions.pdf
| Ätzlösung |
Anwendung |
Merkmale |
| Au etch 200 |
Startschichtstrukturierung
Startschichtentfernung |
ungiftig, zyanidfrei, minimale Unterätzung, Lack-kompatibel, Selektivität zu vielen Metallen und Materialien wie Ni, Cr, Ti, Ta, Pt; Cu wird geätzt); 50°C |
Au etch 300
(auf Anfrage) |
Bulk Ätzungen
Startschichtentfernung |
ungiftig, Jod-basiert, einfache Anwendung, Lack-kompatibel, signifikante Unterätzung, (eingeschränkte) Selektivität zu galvanisierten Metallen wie Cr, Ti; (Ni und Cu werden geätzt) |
| Cr etch 200 |
Entfernung Haftvermittler |
basische Lösung, RT, hohe Selektivität zu vielen Metallen wie Au, Pt, Ta, Ti, Ni, Cu; (Ag wird geätzt) |
| Cr etch 210 |
Strukturierung Haftvermittler
(Lackmaske) |
basische Lösung, 40°C, hohe Selektivität zu vielen Metallen wie Au, Pt, Ta, Ti, Ni, Cu; (Ag wird geätzt) |
| TiW etch 100 |
Entfernung Diffusionsbarriere
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Lack-kompatibel, geringe Unterätzung, enthält Fluorid, RT, Selektivität zu vielen Metallen und Materialien wie Au, Ni, Cr, Sn; (Al und Cu mit Einschränkungen) |
| TiW etch 200 |
Strukturierung Diffusionsbarriere
(Lackmaske) |
Lack-kompatibel, geringe Unterätzung, RT, Selektivität zu vielen Metallen und Materialien wie Au, Cr, Ni; (Cu wird geätzt) |
| Cu etch 100 |
Entfernung Opferschicht |
alkalisches Ätzmittel, Lack-kompatibel zur Ätzung und Strukturierung dicker Kupferschichten, starke Unterätzung, RT, selektiv zu Ni, Au, Ag, Al, Sn, Ti, Ta, Cr, Si, Si2N4, SiO2 |
| Cu etch 150 |
Startschichtstrukturierung
Startschichtentfernung |
alkalisches Ätzmittel, Lack-kompatibel (z.B. Strukturierung Kupferstartschicht), selektiv zu Ni, Au, Ag, Al, Sn, Ti, Ta, Cr, Si, Si2N4, SiO2 |
| Cu etch 200 UBM |
Startschichtstrukturierung
(Lackmaske) |
Strukturierung dünner Kupferschichten, sehr geringe Unterätzung, Lack-kompatibel, Selektivität zu Au, Ni, Cr, Ti, Ta, Sn, Al, Pt |
| AX 100 |
Aktivator zum Galvanisieren von
Nickel auf Nickel |
Saure Vortauchlösung, 40°C Anwendung verbessert die Haftung von Nickel auf Nickel signifikant |
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